[实用新型]CMOS图像传感器模组有效
申请号: | 201220435472.6 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN202736923U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 邓辉;夏欢 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种CMOS图像传感器模组,包括:线路基板;位于所述线路基板上且与所述线路基板电连接的CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器包括感光单元;光学透镜,所述光学透镜位于所述CMOS图像传感器上方,且光学透镜的光学中心与所述感光单元的感光中心在同一轴线上;位于所述CMOS图像传感器和光学透镜之间的通孔基板,所述通孔基板具有开口,光学透镜的光通过所述开口照射到所述CMOS图像传感器的感光单元表面。形成的CMOS图像传感器模组的成本低,且性能稳定。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 模组 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器模组,其特征在于,包括:线路基板;位于所述线路基板上且与所述线路基板电连接的CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器包括感光单元;光学透镜,所述光学透镜位于所述CMOS图像传感器上方,且光学透镜的光学中心与所述感光单元的感光中心在同一轴线上;位于所述CMOS图像传感器和光学透镜之间的通孔基板,所述通孔基板具有开口,光学透镜的光通过所述开口照射到所述CMOS图像传感器的感光单元表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的