[实用新型]低膨胀系数谐振柱有效
| 申请号： | 201220421871.7 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202737082U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 胡文伟 | 申请（专利权）人： | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军;李满 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆、顶部与金属谐振杆连接的接地环，所述金属谐振杆和接地环分别开设有相互连通的第一通孔和第二通孔，其特征在于：所述接地环为三氧化二铝接地环，所述三氧化二铝接地环的表面设有银层，所述三氧化二铝接地环的底部设有弧形凹面。本实用新型通过设置表面设有银层的三氧化二铝接地环，使得本实用新型能适应2.3G~4G频段范围，且由于三氧化二铝较殷钢的价格要低，所以谐振柱的生产成本也得到了明显的降低。另外，通过设置弧形凹面使本实用新型由环形接地取代面接地，提高了谐振柱的接地性能。 | ||
| 搜索关键词： | 膨胀系数 谐振 | ||
【主权项】：
一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆（1）、顶部与金属谐振杆（1）连接的接地环，所述金属谐振杆（1）和接地环分别开设有相互连通的第一通孔（3）和第二通孔（5），其特征在于：所述接地环为三氧化二铝接地环（2），所述三氧化二铝接地环（2）的表面设有银层（2.1），所述三氧化二铝接地环（2）的底部设有弧形凹面（4）。
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