[实用新型]低膨胀系数谐振柱有效
| 申请号： | 201220421871.7 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202737082U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 胡文伟 | 申请（专利权）人： | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军;李满 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膨胀系数 谐振 | ||
【权利要求书】：
1.一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆（1）、顶部与金属谐振杆（1）连接的接地环，所述金属谐振杆（1）和接地环分别开设有相互连通的第一通孔（3）和第二通孔（5），其特征在于：所述接地环为三氧化二铝接地环（2），所述三氧化二铝接地环（2）的表面设有银层（2.1），所述三氧化二铝接地环（2）的底部设有弧形凹面（4）。
2.根据权利要求1所述的低膨胀系数谐振柱，其特征在于：所述金属谐振杆（1）的底部设有环形凸起（1.1），所述金属谐振杆（1）通过环形凸起（1.1）与三氧化二铝接地环（2）的顶部连接。
3.根据权利要求1或2所述的低膨胀系数谐振柱，其特征在于：所述第一通孔（3）和第二通孔（5）为同轴布置，且第一通孔（3）和第二通孔（5）的直径相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉凡谷电子技术股份有限公司，未经武汉凡谷电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220421871.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超薄小型双频陶瓷天线
- 下一篇：一种自动装片机
