[实用新型]MOCVD设备反应器的喷淋头及其连接结构有效
| 申请号： | 201220287888.8 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN202671653U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 丁云鑫;徐小明;周永君;邬建伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 喻学兵 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种MOCVD设备反应器的喷淋头及其连接结构，减少底层和中间层在底面焊接带来的不利影响。其中，喷淋头包括喷淋组件、顶盖组件，顶盖组件包括顶盖，喷淋组件包括连接在一起的底层、中间层和顶层，底层和中间层之间形成冷却水通道、冷却水腔，中间层和顶层之间形成V族气体腔体，顶层和顶盖之间形成III族气体腔体，底层为内凹形一体件，具有底壁和自底部凸出的圈围侧壁，中间层的外侧面和底层的圈围侧壁的内侧面焊接。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 反应器 喷淋 及其 连接 结构 | ||
【主权项】：
MOCVD设备反应器的喷淋头，包括喷淋组件、顶盖组件，顶盖组件包括顶盖，喷淋组件包括连接在一起的底层、中间层和顶层，底层和中间层之间形成冷却水通道、冷却水腔，中间层和顶层之间形成V族气体腔体，顶层和顶盖之间形成III族气体腔体，其特征在于，底层为内凹形一体件，具有底壁和自底壁凸出的圈围侧壁，中间层的外侧面和底层的圈围侧壁的内侧面焊接。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
