[实用新型]一种晶体硅太阳电池的电极结构有效
| 申请号： | 201220235366.3 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN202695463U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 屈道宽;许可;付新春;王连海;闫树兵;王素梅;静国梁 | 申请（专利权）人： | 山东理工职业学院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人： | 符彦慈 |
| 地址： | 272000*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。本实用新型在不影响电池IV测试分档和输出功率的情况下，只在测试探针接触点位置设置印刷浆料层，减少印刷浆料层的面积，从而减少银浆的使用量，降低了电池的成本。改善了电池片弯曲和降低产生碎片的隐裂现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，其特征在于,主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
