[实用新型]一种晶体硅太阳电池的电极结构

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，其特征在于,主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线上非测试探针接触点的区域为不覆盖印刷浆料层的镂空区域。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述测试探针接触点上覆盖的印刷浆料层为漏网状。

4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述漏网的漏孔为圆形。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述漏孔的直径为30um-300um。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的形状为两端窄，中间宽的形状。

7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的端部为尖头形状。

8.根据权利要求6或7任一项所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的端部为三角形或梯形。