[实用新型]一种双面太阳电池有效
申请号: | 201220216391.7 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN202633325U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 杨正刚 | 申请(专利权)人: | 杨正刚 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 牛莉莉 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种双面太阳电池,从上至下依次包括正面减反射膜层、硅基体、背面正负电极和背面减反射膜层,硅基体的向光面、侧面、背光面分别制有陷光结构层;正面减反射膜层有两层、并与硅基体向光面的陷光结构层贴合;硅基体的下表面背面正负电极以外的区域设置有背面减反射膜层。该太阳电池向光面没有栅线电极,背光面有减反射膜层,因而可增大电池的受光面积,使得该双面电池的向光面和背光面同时都能吸收太阳光;由于正面无扩散死层,故可提高太阳光短波的波谱响应;正面和背面减反射膜层可对太阳电池起到钝化作用,提高量子效率;背面多个P-N结及正负电极有利于增加载流子的收集;综上,能够有效的提高电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种双面太阳电池,其特征在于:从上至下依次包括正面减反射膜层、硅基体、背面正负电极和背面减反射膜层,所述硅基体的向光面、背光面分别制有陷光结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的