[实用新型]高集成高光效的二极体电路结构及二极体有效
| 申请号： | 201220108948.5 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN202712253U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 罗嗣辉 | 申请（专利权）人： | 广东奥其斯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种高集成高光效的二极体电路结构及二极体，其特征在于：所述的发光二极体晶片包括并联每组由至少二个相串联的小功率晶片串高集成封装方式构成；本实用新型采用多晶串并集成，具有高集成和高光效的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 高光效 二极体 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种高集成高光效的二极体电路结构，其特征在于：发光二极体晶片(32)包括多组小功率晶片串相并联高集成封装方式构成，每组小功率晶片串包括至少二个相串联的小功率晶片。
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