[实用新型]单芯片电流传感器有效
| 申请号： | 201220108185.4 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN202548183U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋乐跃;刘海东;蔡永耀;赵阳;张俊德 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/14 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单芯片电流传感器，其是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，其包括流过所述被测定电流的导体，以及位于导体周围的两个磁传感器，所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本实用新型不仅能够消除外界磁场干扰，提高性能稳定性和灵敏度，还能够提高产品集成度，减小产品体积，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种单芯片电流传感器，根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，其特征在于：其包括流过所述被测定电流的导体，以及位于导体周围的两个磁传感器，所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。
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