[实用新型]一种硅薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201220102349.2 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN202651132U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 罗云荣;羊亿 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0368 | 分类号： | H01L31/0368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410081 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本实用新型可增强界面的钝化效果，降低缺陷态密度和暗电流，提高载流子迁移率，增加对太阳光的吸收范围，提高电池的转换效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种硅薄膜太阳电池，其特征是，在n型基底晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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