[发明专利]一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法

摘要

一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层，半导体化合物层生长在半导体生长基底上，金属层生长在半导体化合物层上，导热层生长在金属层上，热电偶导热装置生长在导热层上，散热层生长在与导热层相对的热电偶导热装置的另一面上，热电偶导热装置还包含供电臂，供电臂生长在导热层上，与热电偶导热装置电连接。综上所述，本发明能够将晶体管的热快速导出并散发出去，能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性，对高温下功放的性能指标也会有很大改善，同时能提升设备的使用寿命，提高竞争力。

主权项

1.一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，所述半导体热电效应装置包含半导体化合物层(2)、金属层(3)、导热层(4)、热电偶导热装置和散热层(9)，所述半导体化合物层(2)生长在所述半导体生长基底上，所述金属层(3)生长在所述半导体化合物层(2)上，所述导热层(4)生长在所述金属层(3)上，所述热电偶导热装置生长在所述导热层(4)上，所述散热层(9)生长在与所述导热层(4)相对的所述热电偶导热装置的另一面上，所述热电偶导热装置还包含供电臂(5)，所述供电臂(5)生长在所述导热层(4)上，与N型热电偶和P型热电偶电连接；所述热电偶导热装置包含成组的N型热电偶和P型热电偶，在所述金属层(3)上设置有多条依次排列的沟道(11)，所述沟道(11)的开口位于所述金属层(3)和所述半导体化合物层(2)结合面的相对面，所述导热层(4)生长于所述沟道(11)的底部，所述导热层(4)上沿所述沟道(11)生长多组所述N型热电偶和P型热电偶，每组中的N型热电偶和P型热电偶电连接，相邻组中的N型热电偶与P型热电偶电连接，形成N型热电偶→P型热电偶→N型热电偶的通路，所述供电臂(5)分别与每个所述沟道(11)一端的N型热电偶以及每个所述沟道(11)另一端的P型热电偶电连接。