[发明专利]基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现无效
| 申请号： | 201210587179.6 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103022351A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;后羿;李悦;于迪;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的源端施加正偏压，并将忆阻器件的顶电极接地，使忆阻器件反偏进入最高阻态；将栅压依次减小，减小栅压的过程中始终将所述薄膜晶体管的源端接地，使得忆阻器件的顶电极正偏，进入忆阻器件的SET过程得到不同的阻值。本发明通过薄膜晶体管和忆阻器串联方式，解决了忆阻器的多级电阻态控制问题，同时，利用薄膜晶体管的低温工艺特点，可以使基于忆阻器和薄膜晶体管的存储器应用到柔性电子存储电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 薄膜晶体管 柔性 存储器 多阻态 实现 | ||
【主权项】：
基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器，其特征在于，包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，所述薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。
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