[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 201210586007.7 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103066113A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/49;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有电特性高且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有沟道截止型的反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，该沟道截止型的反交错型薄膜晶体管包括：栅电极；栅电极上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；微晶半导体膜上的缓冲层；与微晶半导体膜的沟道形成区域重叠地形成在缓冲层上的沟道保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：能够传递光的衬底；在所述衬底上方的栅极布线；在所述栅极布线上方的栅极绝缘膜；包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括在所述栅极布线上方的沟道形成区域，且所述栅极绝缘膜位于其间；在所述半导体膜上方的源电极及漏电极；在所述半导体膜、所述源电极及所述漏电极上方的绝缘膜；以及在所述绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极电气地连接到所述源电极或所述漏电极，其中，所述半导体膜的整个部分与所述栅极布线重叠。
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