[发明专利]一种基于AXI总线的存储器控制装置及方法在审
| 申请号： | 201210581608.9 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103902481A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 雷磊;朱骏;黄啸 | 申请（专利权）人： | 北京华清瑞达科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于AXI总线的存储控制装置及方法，包括：在配置双ARM处理器的AXI总线平台上配置NAND控制模块、磨损均衡模块、BCH编解码模块及接口模块，所述NAND控制模块与NAND存储阵列连接。通过以上方案本发明解决了NAND FLASH存储器端口不易更改及扩展的问题，同时可满足使用时所需要的快速存储速度的问题。使得系统可以支持不同数量和不同类型的NAND芯片，提高了系统的适应性和灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 axi 总线 存储器 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基于AXI总线的存储控制装置，其特征在于，包括：在配置双ARM处理器的AXI总线平台上配置NAND控制模块、磨损均衡模块、BCH编解码模块及接口模块，所述NAND控制模块与NAND存储阵列连接；接口模块接收外部存储数据，并将接收的外部存储数据通过AXI总线传送到BCH编解码模块中；BCH编解码模块对所述外部存储数据进行BCH编码获取预存外部数据，并将预存外部数据输入到所述NAND控制模块中；磨损均衡模块根据所述NAND存储阵列的内部地址映射获取目标阵列地址，并将目标阵列地址输入到所述NAND控制模块中；当所述预存外部数据与所述目标阵列地址均输入到所述NAND控制模块中时，所述NAND控制模块将预存外部数据从SRAM接口数据转换为NAND接口数据后存入所述目标阵列地址中。
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