[发明专利]一种基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器无效
| 申请号： | 201210580434.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103107394A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘埇;司黎明;周凯;郑超;卢宏达;朱思衡 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器，适用于太赫兹波段，属于太赫兹技术领域。包括上层硅圆片、下层硅圆片和主体部分；上层硅圆片有定位槽和盲文标示；主体部分包括PBG结构和波导腔，PBG结构由硅柱组成，硅柱之间填充有空气；PBG结构位于波导腔的腔体内；所述的硅柱的表面溅射有金层；在PBG结构中引入了线缺陷和点缺陷，线缺陷形成PBG波导，位于波导腔的腔体内左右两侧，点缺陷形成中间三个谐振腔结构；滤波器采用上层硅圆片和下层硅圆片进行加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 工艺 thz 波段 emxt 滤波器 | ||
【主权项】：
基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器，其特征在于：包括上层硅圆片、下层硅圆片和主体部分；上层硅圆片有定位槽和盲文标示；主体部分包括PBG结构和波导腔，PBG结构由硅柱组成，硅柱之间填充有空气；PBG结构位于波导腔的腔体内；所述的硅柱的表面溅射有金层；在PBG结构中引入了线缺陷和点缺陷，线缺陷形成PBG波导，位于波导腔的腔体内左右两侧，点缺陷形成中间三个谐振腔结构；滤波器采用上层硅圆片和下层硅圆片进行加工。
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