[发明专利]发光二极管装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210576874.2 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103178195A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 江部悠纪;大薮恭也 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/48
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的发光二极管装置的制造方法包括如下工序:准备安装有发光二极管的基板的工序;准备半球状的透镜成型模的工序;准备发光二极管封装材料的工序,所述发光二极管封装材料具备发光二极管封装层及层叠于所述发光二极管封装层的荧光体层、并且所述发光二极管封装层及所述荧光体层这二者由最终固化前的树脂形成;在基板及透镜成型模之间,以使荧光体层与透镜成型模相对的方式配置发光二极管封装材料、进行压缩成型,由此用半球状的所述发光二极管封装层直接封装所述发光二极管,并在发光二极管封装层的半球表面配置荧光体层的工序。
搜索关键词: 发光二极管 装置 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管装置的制造方法,其特征在于,其包括如下工序:准备安装有发光二极管的基板的工序;准备半球状的透镜成型模的工序;准备发光二极管封装材料的工序,所述发光二极管封装材料具备发光二极管封装层及层叠于所述发光二极管封装层的荧光体层、并且所述发光二极管封装层及所述荧光体层这二者由最终固化前的树脂形成;在所述基板及所述透镜成型模之间,以使所述荧光体层与所述透镜成型模相对的方式配置所述发光二极管封装材料、进行压缩成型,由此用半球状的所述发光二极管封装层直接封装所述发光二极管,并在所述发光二极管封装层的半球表面配置所述荧光体层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210576874.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top