[发明专利]光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置在审
| 申请号： | 201210575335.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103187679A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 富冈纮斗 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;G01N21/17 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置，其中，光导天线是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备：由第一导电型的半导体材料构成的第一导电层、由第二导电型的半导体材料构成的第二导电层、位于上述第一导电层和上述第二导电层之间的半导体层、与上述第一导电层连接的第一电极以及与上述第二导电层连接的第二电极，上述半导体层包含：入射面，其位于成为法线方向与上述第一导电层、上述半导体层以及上述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供上述脉冲光入射；和射出面，其位于上述半导体层的侧面的与上述入射面不同的位置并供上述太赫兹波射出。 | ||
| 搜索关键词： | 天线 赫兹 产生 装置 拍摄 成像 | ||
【主权项】：
一种光导天线，其特征在于，是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备：第一导电层，其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成；第二导电层，其由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成；半导体层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且由与所述第一导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料或与所述第二导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料构成；第一电极，其与所述第一导电层电连接；以及第二电极，其与所述第二导电层电连接，所述半导体层包括：入射面，其位于成为法线方向与所述第一导电层、所述半导体层以及所述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供所述脉冲光入射；和射出面，其位于所述半导体层的侧面的与所述入射面不同的位置并供所述太赫兹波射出。
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