[发明专利]光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置

权利要求书

1.一种光导天线，其特征在于，

是被脉冲光照射从而产生太赫兹波的光导天线，具备：

第一导电层，其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成；

第二导电层，其由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成；

半导体层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且由与所述第一导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料或与所述第二导电层的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料构成；

第一电极，其与所述第一导电层电连接；以及

第二电极，其与所述第二导电层电连接，

所述半导体层包括：入射面，其位于成为法线方向与所述第一导电层、所述半导体层以及所述第二导电层的层叠方向正交的状态的侧面并供所述脉冲光入射；和射出面，其位于所述半导体层的侧面的与所述入射面不同的位置并供所述太赫兹波射出。

2.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述半导体层在从所述层叠方向观察时，呈从所述入射面朝向所述射出面的方向成为长边方向的纵长形状。

3.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述半导体层具有如下部位，即在从所述层叠方向观察时，随着从所述入射面朝向所述射出面，与从所述入射面朝向所述射出面的方向正交的方向的所述半导体层的宽度逐渐增大的部位。

4.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述第二导电层以所述第二导电层的侧面与所述半导体层的所述入射面位于同一平面上的方式设置，且仅设置在所述半导体层上的一部分上，所述第二导电层的侧面具有与所述层叠方向垂直的法线。

5.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

具有覆盖层，该覆盖层覆盖所述半导体层的侧面，所述半导体层的侧面具有与所述层叠方向垂直的法线。

6.根据权利要求5所述的光导天线，其特征在于，

对所述覆盖层来说，设置于所述射出面的所述覆盖层的构成材料的相对介电常数比所述半导体层的所述半导体材料的相对介电常数高。

7.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述半导体层的半导体材料是Ⅲ－V族化合物半导体。

8.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，

具备权利要求1所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

9.根据权利要求8所述的太赫兹波产生装置，其特征在于，

具有基板，

所述光源以及所述光导天线分别在所述基板上与该基板一体形成。

10.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备：

权利要求3所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

11.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备：

权利要求4所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

12.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备：

权利要求6所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

13.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

14.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求3所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

15.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求4所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

16.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求6所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。