[发明专利]用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201210575309.4 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103293803A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 曾国波;王磊;吴勃;扈映茹 | 申请(专利权)人: | 成都天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 611730 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板包括复数个像素结构,在像素结构中,一像素,包括一薄膜晶体管和一像素电极,所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极;一数据线,所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成;一扫描线,所述栅极和扫描线由栅极金属层形成;其中,所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上,所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。在上述阵列基板上,因为数据线和像素电极的被栅极绝缘层间隔开,从而可以根本上杜绝因为数据线和像素电极刻蚀残留而产生的亮点不良。 | ||
搜索关键词: | 用于 ffs 模式 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,包括复数个像素结构,所述像素结构包括:一像素,包括一薄膜晶体管和一像素电极,所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极,所述像素电极与所述源极/漏极的一端电连接;一数据线,与所述源极/漏极的另一端电连接,所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成;一扫描线,与所述栅极连接,所述栅极和扫描线由栅极金属层形成;其特征在于,所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上,所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。
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