[发明专利]一种半导体器件中粘附力检测结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210568227.7 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103900951A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N19/04 | 分类号： | G01N19/04;H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件中粘附力检测结构及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次沉积第一氧化物层和金属材料层；图案化部分所述金属材料层，以在所述金属材料层上形成第一槽口；在所述金属材料层和所述第一槽口上沉积蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成支撑衬底，从背面蚀刻所述半导体衬底、第一氧化物层和金属材料层，以形成第二槽口，同时露出所述第一槽口中的蚀刻停止层。在本发明所述结构能够更加准确的测量所述低K材料层和所述NDC材料层之间的粘附力（Adhesion value），同时，所述增韧玻璃纤维材料具有较高的韧性，以确保在施加压力和负载的时候不发生碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 粘附 检测 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中粘附力检测结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次沉积第一氧化物层和金属材料层；图案化部分所述金属材料层，以在所述金属材料层上形成第一槽口；在所述金属材料层和所述第一槽口上沉积蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成支撑衬底；从背面蚀刻所述半导体衬底、第一氧化物层和金属材料层，以形成第二槽口，同时露出所述第一槽口中的蚀刻停止层。
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