[发明专利]引线框架及其生产方法

摘要

本发明涉及电子封装制造领域，尤其涉及封装芯片所用的引线框架，特别是主要应用于SOT(小外型晶体管)系列引线框架。一种引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，A）冲压步骤：取铜合金片材，通过冲裁模具的凸、凹模进行冲压，形成引线框架半成品，该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180，导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.；B）电镀步骤:将上述的引线框架半成品依次序如下处理：预镀银、镀银、退银；C）成型步骤：将上述电镀后的引线框架半成品进行切片成型。本发明的引线框架具有更良好的机械特性和电热学特性。

主权项

一种引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，A）冲压步骤：取铜合金片材，通过高速冲床，借助冲裁模具的凸、凹模进行冲压，形成引线框架半成品，该铜合金片材的化学成分及其质量比例份数分别是：1.8～2.1%的镍，0.4～0.68%的硅，0～0.2%的铁，0～0.1%的锰，0～0.2%的锌，0～0.005%的镉，0～0.02%的铅，其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分，以及0～0.3%的其余杂质，余量为铜；该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180，导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.；B）电镀步骤:将上述的引线框架半成品依次序如下处理：前处理、预镀银、镀银、退银、后处理、烘干；C）成型步骤：将上述电镀后的引线框架半成品进行切片成型。