[发明专利]一种磁传感装置的制备工艺

摘要

本发明揭示了一种磁传感装置的制备工艺，包括：在基底上沉积介质材料，形成介质材料层；在介质材料层上开沟槽；在介质材料层上沉积第二介质材料层；在第二介质材料层上依次沉积磁性材料和电极材料，分别形成磁性材料层和电极材料层；沉积填充材料，光刻胶，曝光，显影；刻蚀，去除部分磁性材料和电极材料；去除光刻胶；在感应单元的磁性材料层上沉积第二电极材料并光刻，形成第二电极；填充介质材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并且通过半导体工艺，引出第二电极。本发明可在同一个圆晶或芯片上制备三轴磁感应器件。单芯片上可选择性集成ASIC外围电路，其制造工艺与标准的CMOS工艺完全兼容；具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格竞争力。

主权项

一种磁传感装置的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤：步骤S1：在基底上沉积介质材料，形成介质材料层；步骤S2：在介质材料层上开沟槽；步骤S3：在介质材料层上沉积第二介质材料层；步骤S4：在第二介质材料层上依次沉积磁性材料和电极材料，分别形成磁性材料层和电极材料层，随后进行退火；电极材料层同时作为磁性材料层的保护层；步骤S5：沉积光刻胶，曝光，显影；步骤S6：刻蚀，去除部分磁性材料和电极材料，去除光刻胶；步骤S7：在第二介质材料层上分别形成感应单元的磁性材料层、导磁单元；导磁单元的主体部分形成于沟槽内，并有部分露出沟槽至基底表面，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出；感应单元的磁性材料层形成于沟槽外，用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向；感应单元的磁性材料层测量第一方向或/和第二方向的磁场，将测量第三方向的磁场引导到测量第一方向或/和第二方向对应的磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；步骤S8：沉积第二电极材料并光刻，形成第二电极层；步骤S9：填充第二介质材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并且通过半导体工艺，通过第三电极的沉积和图形化引出第二电极。