[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210560786.3 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103247659A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 金珉朱;郑浩永 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种有机发光显示设备及其制造方法,所述有机发光显示设备包括形成在基板上的光屏蔽层和形成在基板整个表面上的缓冲层;形成在缓冲层上的氧化物半导体层和第一电极;形成在氧化物半导体层上同时被沉积成暴露氧化物半导体层的两个边缘的栅极绝缘膜和栅极;形成为暴露氧化物半导体层的两个暴露边缘和第一电极的层间绝缘膜;分别与氧化物半导体层的一个边缘和另一个边缘连接的源极和漏极;和形成为覆盖源极和漏极同时暴露第一电极的部分区域以限定发光区和非发光区的保护膜。
搜索关键词: 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法
【主权项】:
一种有机发光显示设备,包括:基板;形成在基板上的光屏蔽层;形成在基板的整个表面上以覆盖光屏蔽层的缓冲层;形成在缓冲层上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层具有源极区、漏极区和在源极区和漏极区之间的沟道区;形成在缓冲层上的第一电极;形成在氧化物半导体层的沟道区上的栅极绝缘层;形成在栅极绝缘层上的栅极;覆盖栅极绝缘层和栅极的层间绝缘膜;与氧化物半导体层的源极区连接的源极;与氧化物半导体层的漏极区连接且与第一电极连接的漏极;和形成为覆盖源极和漏极且暴露第一电极的部分区域的保护膜。
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