[发明专利]局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品和方法只适于制备本征集电区窗口和单晶发射区较窄的器件的缺陷而设计。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法有效缓解了对器件尺寸的限制，适于制备具有从窄到宽各种尺寸本征集电区窗口和单晶发射区的器件，在保持高性能的基础上进一步拓宽了技术的应用领域和范围。

主权项

一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管，包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的硅埋层集电区、生长在所述衬底和硅埋层集电区上的第二导电类型的轻掺杂硅外延层、在所述轻掺杂硅外延层内形成并且连接所述硅埋层集电区的第二导电类型重掺杂硅集电极引出区、在所述轻掺杂硅外延层中形成的场区介质层、位于所述轻掺杂硅外延层内的选择注入集电区、位于所述轻掺杂硅外延层上且对应所述选择注入集电区的本征基区外延层、位于所述本征基区外延层上的发射区‑基区隔离介质区、位于所述发射区‑基区隔离介质区内侧的第二导电类型重掺杂多晶发射区、位于本征基区外延层内且对应发射区‑基区隔离介质区所围成窗口的第二导电类型重掺杂单晶发射区、位于所述发射区‑基区隔离介质区外围的抬升外基区、以及位于抬升外基区下方的氧化硅隔离介质层；其特征在于：所述发射区‑基区隔离介质区由内侧的氮化硅侧墙和外侧的氧化硅层组成，所述氧化硅层包括位于氮化硅侧墙下的内延伸部、贴在氮化硅侧墙外壁上的氧化硅层主体、以及位于氧化硅层主体上端且向外凸出的外延伸部；所述抬升外基区包括第一导电类型重掺杂多晶硅层和位于所述多晶硅层侧面的Si/SiGe/Si多晶层，所述Si/SiGe/Si多晶层贴在所述发射区‑基区隔离介质区的外侧壁上且位于所述外延伸部的下方。