[发明专利]隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅化物层、第一导电类型重掺杂多晶硅层和Si/SiGe/Si多晶层组成；金属硅化物层一直延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明晶体管在现有技术的基础上进一步减小RB、提高器件的高频性能、改善器件的噪声性能。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管制备方法实现了单晶发射区与抬升外基区低电阻金属硅化物之间的自对准结构，在保持较低基极-集电极电容CBC的同时进一步减小了RB，优化了器件性能。

主权项

一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管，包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的埋层集电区、生长在所述衬底和埋层集电区上的第二导电类型的轻掺杂外延层、在所述轻掺杂外延层内形成连接所述埋层集电区的第二导电类型重掺杂集电极引出区、在轻掺杂外延层中形成的场区介质层、位于轻掺杂外延层内的选择注入集电区、对应于所述选择注入集电区的本征基区外延层和发射区‑基区隔离介质区、位于所述发射区‑基区隔离介质区内侧的第二导电类型重掺杂多晶发射区、位于本征基区外延层内且对应发射区‑基区隔离介质区所围成窗口的第二导电类型重掺杂单晶发射区、位于所述发射区‑基区隔离介质区外围的抬升外基区、以及位于抬升外基区下方的氧化硅隔离介质层，所述发射区‑基区隔离介质区由外侧的非保形覆盖氧化硅层和内侧的氮化硅侧墙组成，其特征在于：所述抬升外基区由下至上依次由隐埋低电阻金属硅化物层、第一导电类型重掺杂多晶硅层和Si/SiGe/Si多晶层组成；所述隐埋低电阻金属硅化物层一直延伸至所述发射区‑基区隔离介质区外侧。