[发明专利]引线框架加工方法有效

专利信息
申请号: 201210557505.9 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103887179B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 陈冲;刘德波;孔令文;彭勤卫;杨志刚 申请(专利权)人: 深南电路有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 代理人: 唐华明
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种引线框架加工方法,可包括在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在第一导电层上设置介质层;在介质层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔;在钻出了若干个孔的介质层上贴第一膜;对第一膜进行曝光显影处理以露出孔;在孔内填充导电物质;去除载体材料;在第一导电层上加工出线路图形。本发明实施例提供的技术方案有利于提高引线框架的制作精度。
搜索关键词: 引线 框架 加工 方法
【主权项】:
一种引线框架加工方法,其特征在于,包括:在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在所述第一导电层上设置介质层;在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔;在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联;去除所述载体材料;在所述第一导电层上加工出线路图形;其中,所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层,包括:通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一导电层;或者,所述第一导电层包括第二金属种子层和第一子导电层,所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层,包括:通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第二金属种子层;在所述第二金属种子层上加工出第一子导电层;其中,所述第二金属种子层具备与所述载体材料合适的结合状态,所述结合状态具体为:满足后续加工的需要而不易分离,且满足最后容易与所述载体材料的剥离撕掉;其中,所述第一子导电层是作为后续钻孔的参照,防止钻孔过深而钻透;其中,所述在所述孔内填充导电物质之前还包括:在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜;对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔;所述在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜之前,或者所述在所述孔内填充导电物质之前,还包括:通过化学镀或溅射在所述若干个孔的孔壁上形成第一金属种子层;所述第一金属种子层包括:镍、铁、铜和钛的至少一种;所述在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联包括:通过电镀和/或化学镀在所述孔内填满导电物质以形成引线框架的层间互联。
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