[发明专利]引线框架加工方法有效
申请号: | 201210557505.9 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103887179B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 陈冲;刘德波;孔令文;彭勤卫;杨志刚 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人: | 唐华明 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种引线框架加工方法,可包括在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在第一导电层上设置介质层;在介质层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔;在钻出了若干个孔的介质层上贴第一膜;对第一膜进行曝光显影处理以露出孔;在孔内填充导电物质;去除载体材料;在第一导电层上加工出线路图形。本发明实施例提供的技术方案有利于提高引线框架的制作精度。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种引线框架加工方法,其特征在于,包括:在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在所述第一导电层上设置介质层;在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔;在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联;去除所述载体材料;在所述第一导电层上加工出线路图形;其中,所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层,包括:通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一导电层;或者,所述第一导电层包括第二金属种子层和第一子导电层,所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层,包括:通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第二金属种子层;在所述第二金属种子层上加工出第一子导电层;其中,所述第二金属种子层具备与所述载体材料合适的结合状态,所述结合状态具体为:满足后续加工的需要而不易分离,且满足最后容易与所述载体材料的剥离撕掉;其中,所述第一子导电层是作为后续钻孔的参照,防止钻孔过深而钻透;其中,所述在所述孔内填充导电物质之前还包括:在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜;对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔;所述在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜之前,或者所述在所述孔内填充导电物质之前,还包括:通过化学镀或溅射在所述若干个孔的孔壁上形成第一金属种子层;所述第一金属种子层包括:镍、铁、铜和钛的至少一种;所述在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联包括:通过电镀和/或化学镀在所述孔内填满导电物质以形成引线框架的层间互联。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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