[发明专利]引线框架加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路板加工制造技术领域，具体涉及引线框架加工方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝或铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。其中，引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用，目前绝大部分的半导体集成芯片中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础器件。

当前，传统引线框架生产工艺为冲制型和刻蚀型两大类，目前以冲制型生产为主流。例如二极管、三极管的引线框架有几百个品种，其中的绝大部分为冲制型生产工艺。集成电路所用引线框架，冲制工艺可对100针脚（pin）以下的品种进行量产，可满足多种塑料封装形式的使用需要。刻蚀型引线框架主要应用于新品开发和引线节距在0.65mm以下的框架生产，可生产170pin-230pin左右的引线框架。

传统冲制型和刻蚀型工艺在制作精度方面受限，在一些更高要求的场景下已经难以满足需要。

发明内容

本发明实施例提供一种引线框架加工方法，以期进一步提高引线框架的制作精度。

本发明第一方面提供一种引线框架加工方法，可包括：

在载体材料的第一面上加工出第一导电层；

在所述第一导电层上设置介质层；

在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔；

在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联；

去除所述载体材料；

在所述第一导电层上加工出线路图形。

可选的，所述在所述孔内填充导电物质之前还包括：

在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜；

对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔。

可选的，所述在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜之前，或者所述在所述孔内填充导电物质之前，还包括：通过化学镀或溅射在所述若干个孔的孔壁上形成第一金属种子层。

可选的，所述第一金属种子层包括：镍、铁、铜和钛的至少一种。

可选的，在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联包括：通过电镀和/或化学镀在所述孔内填满导电物质以形成引线框架的层间互联。

可选的，所述第一导电层的厚度为2~5微米。

可选的，所述在所述第一导电层上设置介质层之前还包括：

在所述第一导电层上贴第二膜；

对所述第二膜进行曝光显影处理以露出孔加工区；

通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质。

可选的，所述通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质，包括：

通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质5~8微米。

可选的，所述在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔，包括：通过激光钻孔在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔。

可选的，所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一导电层；

或者，

第一导电层包括第二金属种子层和第一子导电层，所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第二金属种子层；在所述第二金属种子层上加工出第一子导电层。

由上可见，在本发明实施例提供的引线框架加工方案中，在载体材料的第一面上加工出第一导电层；在第一导电层上设置介质层；在介质层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔；在该若干个孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联；去除载体材料；在第一导电层上加工出线路图形。其中，本发明实施例方案中引线框架的形成方式是先形成介质层，再形成层间互联，之后形成表面线路图形，并且表面线路图形和层间互联都可以线路加工方式来形成，且是利用第一导电层作为参照，在介质层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔，这样在有利于控制加工精确度，进而有利于提高引线框架的制作精度和降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供一种引线框架加工方法的流程示意图；

图2~图15为本发明实施例提供的引线框架加工示意图。

具体实施方式