[发明专利]多晶硅形成方法、TFT阵列基板制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201210557289.8 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103268855A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 彭涛 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅形成方法、TFT阵列基板制造方法及显示装置，以解决现有技术中在沟道边缘处TFT容易提早开启，形成驼峰现象的问题。本发明中在预形成TFT处形成具有台阶形状的遮光层，并且所述台阶形状所在位置对应TFT沟道边缘处，在所述遮光层上形成与所述遮光层具有相一致台阶形状的缓冲层与非晶硅层，对所述非晶硅层进行低温晶化处理，形成包含不饱和结晶的多晶硅，从而使得沟道边缘处的多晶硅结晶失效，使TFT器件在沟道边缘处的电流降低，无法表现边缘TFT提早开启的状况，避免驼峰现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 tft 阵列 制造 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管TFT阵列基板中多晶硅的形成方法，其特征在于，该方法包括：在基板上沉积不透明金属层；刻蚀所述不透明金属层，在预形成TFT处形成具有台阶形状的遮光层，其中，所述台阶形状所在位置对应所述TFT沟道边缘处；在所述遮光层上形成缓冲层，并在所述缓冲层上沉积非晶硅，形成与所述遮光层具有相一致台阶形状的缓冲层与非晶硅层；对所述非晶硅层进行低温晶化处理，形成包含不饱和结晶的多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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