[发明专利]多晶硅部分及破碎硅体的方法在审
| 申请号： | 201210557088.8 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103172068A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | L·法布里;P·格吕布尔;C·胡贝尔 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅部分，其具有至少一个断裂面或切割面，所述多晶硅部分包含0.07ng/cm2-1ng/cm2的金属污染。本发明还涉及破碎硅体，优选多晶硅棒的方法，其包括步骤：a)测定所述硅体的最低固有弯曲频率；b)利用振荡发生器，以所述硅体的最低固有弯曲频率对其进行激励，所述激励在所述硅体的激励点处进行，从而使所述硅体在激励点处破碎；由此产生具有断裂面的硅部分，其包含0.07ng/cm2-至多1ng/cm2的金属污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 部分 破碎 方法 | ||
【主权项】：
多晶硅部分，其具有至少一个断裂面或切割面，所述多晶硅部分包含0.07ng/cm2‑1ng/cm2的金属污染物。
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