[发明专利]一种平面碳膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201210556923.6 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103072938A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王成;时康;康仁科;田中群;杨永学;单坤;张红万;周剑章;周平;詹东平;张艺程 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;大连理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面碳膜电极的制备方法,首先将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，然后在一定压力的惰性气体的保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成高面型精度的平面碳膜，最后用树脂封装制成大面积平面碳膜电极。
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