[发明专利]一种平面碳膜电极的制备方法

权利要求书

1.一种平面碳膜电极的制备方法,首先将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，然后在一定压力的惰性气体的保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成高面型精度的平面碳膜，最后用树脂封装制成大面积平面碳膜电极。

2.如权利要求1所述的一种平面碳膜电极的制备方法，包括如下步骤：

1）基体前处理：将表面粗糙度小于500nm的导电基体裁切到所需的大小和形状，通过浸酸除去其表面氧化层后，依次采用有机溶剂和超纯水超声清洗；

2）光刻胶旋涂：使用匀胶机将光刻胶旋涂在导电基体上，调节匀胶转速和匀胶时间，使光刻胶的厚度为2～100μm；

3）程序升温加热：将涂胶后的基体水平放入加热电炉炉腔内，并保持其水平状态；向炉腔内通入惰性气体，20min～60min后，开始程序升温加热，以去除光刻胶中的溶剂，以及使光刻胶在导电基体表面充分流动以形成高面形精度的平面，保持炉腔内惰性气体压力为1～20atm；随后在最高碳化温度下，保持60min～120min，直至光刻胶完全碳化；仍在惰性气体保护下冷却至室温，即制得高面形精度的平面碳膜；

4）电极封装：将步骤3）制得的平面碳膜与导线进行导电连接，并用不导电树脂封装，待树脂固化后，即制成高面形精度的平面碳膜电极。

3.根据权利要求1或2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，其特征在于：

所述导电基体选自砷化镓片、玻璃碳片、石墨片、硅片、金属及其合金片中的一种。

4.根据权利要求1或2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，其特征在于：

导电基体为规则的形状。

5.根据权利要求1或2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，厚度为0.25mm～20mm。

6.根据权利要求1或2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，其特征在于：导电基体的面积为9mm²～22500mm²。

7.根据权利要求2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，其特征在于：步骤3）所述的程序升温的升温速率为5℃/min～20℃/min，最高温度为800℃～1100℃，并且在最高温度恒温60min～120min；且在90℃～110℃恒温30～60min，以除去光刻胶中的溶剂；并在150～300℃恒温60min～120min，以使得光刻胶层发生更更好的自流平作用。

8.如权利要求1或2所述的一种平面碳膜电极的制备方法，其特征在于：所述的惰性气体为氮气、氦气、氩气中的至少一种。