[发明专利]一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片的形成方法无效
| 申请号： | 201210553129.6 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887363A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王志彬;贺虎;陈萌炯;邢路;朱亚雄;黄三玻;陆剑峰;王训春;王建立 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C25D7/12;C25D5/14 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片的形成方法，包括：提供基材，所述基材为钼箔；在所述基材表面形成过渡层，所述过渡层为双层结构，包括位于基材表面的铬层和位于所述铬层表面的镍层；在所述过渡层表面形成银层。实验已经证明，本发明的方法所提供的耐原子氧的太阳电池电路用互连片耐原子氧能力强，可以延长太阳电池阵的空间环境寿命，扩大太阳电池阵的应用领域，提升光伏发电的应用范围。它特别适合于长寿命的航天飞行器，尤其是国际空间站这种低轨、长寿命、大功率的飞行器。其与银质互连片相比，该新型互连片的应用空间更广，寿命更长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 太阳电池 电路 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种耐原子氧的太阳电池电路用互连片的形成方法，其特征在于，包括：提供基材，所述基材为钼箔；在所述基材表面形成过渡层，所述过渡层为双层结构，包括位于基材表面的铬层和位于所述铬层表面的镍层；在所述过渡层表面形成银层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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