[发明专利]用于制造半导体器件的复合晶圆无效
| 申请号： | 201210545802.1 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165625A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | A·康迪莫夫;J·拉姆德尼;K·斯瓦米纳坦 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 复合晶圆包括具有第一竖直厚度和一个顶部表面的第一衬底，所述顶部表面被制备处于用于随后的半导体材料外延沉积的状态。一个载体衬底被布置在所述第一衬底下方。所述载体衬底具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度。一间层将所述第一衬底键合至所述载体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 复合 | ||
【主权项】：
一种复合晶圆，包括：第一衬底，具有第一竖直厚度和一个顶部表面，所述顶部表面被制备处于用于随后的半导体材料外延沉积的状态；一个载体衬底，布置在该第一衬底下方，该载体衬底具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度；以及一个间层，将所述第一衬底键合至所述载体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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