[发明专利]栅极堆迭结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210543673.2 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103855195B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林岳钦;张翼;庄庭维 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极堆迭结构及包含其的金属氧化物半导体元件以及其制作方法。上述晶体管的栅极堆迭结构，包含一基板；一半导体层，设置于该基板上；一栅极介电层，设置于该半导体层上，其中该栅极介电层包含交错堆迭的氧化镧(La2O3)及氧化铪(HfO2)所构成的复合氧化物层；以及一栅极电极层，设置于该栅极介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 包含 金属 氧化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的栅极堆迭结构的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体层，其具有一第一表面及一第二表面；形成数个二氧化铪层及数个三氧化二镧层于该半导体层的该第一表面上，该些二氧化铪层及该些三氧化二镧层交替堆叠，其中该些三氧化二镧层中的最下层直接接触该半导体层；快速退火该些二氧化铪层及该些三氧化二镧层，与该半导体层的一上表面作用，以形成一复合氧化物层的栅极介电层；形成一栅极电极层于该栅极介电层上；形成一欧姆接触层，其与该半导体层的该第二表面接触；以及形成一背金属层，其与该欧姆接触层接触，但不与该半导体层接触。
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