[发明专利]气相裂解法制备β-SiC超细微粉工艺

摘要

本发明设计一种利用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物(可气化的有机硅聚合物CPS)，采取气相裂解法工业化制备β-SiC超细陶瓷粉体工艺。主要包括以下步骤：原料、惰性气体经计量输送至气化釜内气化，通过静混器调节惰性气体比例至气相裂解炉裂解生成SiC微粉，然后由气流带入冷环境中迅速冷却，再将SiC微粉进行结晶、脱碳处理得到β-SiC超细粉体。本发明合理利用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物CPS，连续化制备SiC超细粉体，此工艺生产的β-SiC粉体纯度高，晶型完整，粒径分布均匀，在0.05-1um之间可调，无三废排放，符合环保要求。

主权项

气相裂解法制备β‑SiC超细微粉工艺，制备工艺包括以下步骤：连续向气化釜内通入10‑50L/min的惰性气体和CPS 40‑100ml/min，混合后，由气化釜100℃‑300℃气化，经管道预热(150℃‑400℃)至静混器，向静混器内通入20‑100L/min惰性气体，调节惰性气体与CPS体积比至500∶1‑2000∶1，进入气相裂解炉，经1100‑1400℃快速裂解，由气体带入多级收集罐内快速冷却生成SiC微粉。气体经过尾气处理系统，气体中残留的微粉经淋洗塔进入水槽，排出的气体经过粉末净化器进一步净化排出；将水槽中的微粉100℃烘干得到SiC微粉；将不同收集罐及烘干后的微粉于结晶炉中1400‑1700℃惰性气体保护热处理1‑4h；冷却后将粉体再于脱碳炉500‑800℃含氧气氛中热处理1‑4h，得到晶型完整的β‑SiC超细粉体，若有特殊要求，可经过沸腾床进一步分级，分别经称重后打包；形成不同规格的产品供用户选择。