[发明专利]气相裂解法制备β-SiC超细微粉工艺无效

专利信息
申请号: 201210540187.5 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN102976325A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 吴永龙;马小民;张冀;蒋伟鸣;张博;张寅 申请(专利权)人: 苏州赛力菲陶纤有限公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 裂解 法制 sic 细微 工艺
【权利要求书】:

1.气相裂解法制备β-SiC超细微粉工艺,制备工艺包括以下步骤:

连续向气化釜内通入10-50L/min的惰性气体和CPS 40-100ml/min,混合后,由气化釜100℃-300℃气化,经管道预热(150℃-400℃)至静混器,向静混器内通入20-100L/min惰性气体,调节惰性气体与CPS体积比至500∶1-2000∶1,进入气相裂解炉,经1100-1400℃快速裂解,由气体带入多级收集罐内快速冷却生成SiC微粉。气体经过尾气处理系统,气体中残留的微粉经淋洗塔进入水槽,排出的气体经过粉末净化器进一步净化排出;

将水槽中的微粉100℃烘干得到SiC微粉;

将不同收集罐及烘干后的微粉于结晶炉中1400-1700℃惰性气体保护热处理1-4h;冷却后将粉体再于脱碳炉500-800℃含氧气氛中热处理1-4h,得到晶型完整的β-SiC超细粉体,若有特殊要求,可经过沸腾床进一步分级,分别经称重后打包;形成不同规格的产品供用户选择。

2.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,其特征在于:使用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物即可气化的有机硅聚合物CPS为原料,采用气相裂解法、1100-1400℃在惰性气氛中制备β-SiC超细微粉的新工艺。

3.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,其特征在于:原料供应系统包括气化釜,加热管道及静混器,可调节惰性气体与CPS体积比为500∶1-2000∶1。

4.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:生产系统使用多台平行气相裂解炉。

5.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:微粉收集系统为多个串联收集罐,能达到分级不同颗粒微粉效果。

6.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:尾气处理系统,包括淋洗塔,水槽与粉末净化器,淋洗塔可将尾气中的微粉压至水槽中,回收利用。

7.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:微粉结晶工艺为惰性气体保护下1400-1700℃热处理1-4h。

8.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:脱碳工艺为含氧气氛中500-800℃热处理1-4h。

9.根据权利要求1所述的制备β-SiC超细微粉工艺,特征在于:对成型的β-SiC超细微粉,可进一步经过沸腾床分级,减小粒径分布。

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