[发明专利]一种局部背场的制备工艺无效
| 申请号： | 201210533511.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102983225A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁伟明 | 申请（专利权）人： | 泰州德通电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种局部背场的制备工艺，包括以下步骤：a、将硅片清洗制绒；b、将清洗后的硅片进行扩散；c、将扩散后的硅片去背结并且将背表面抛光；d、将背面抛光的硅片前表面沉积氮化硅减反射膜，背面底层沉积非晶硅、氧化铝或者氧化硅薄膜，上层沉积氮化硅薄膜；e、在背表面印刷铝浆，前表面印刷银浆；f、烧结形成局部背场。这种局部背场的制备工艺可以实现背场钝化膜的自开孔，减少了生产工序，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种局部背场的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：a、将硅片清洗制绒；b、将清洗后的硅片进行扩散；c、将扩散后的硅片去背结并且将背表面抛光；d、将背面抛光的硅片前表面沉积氮化硅减反射膜，背面底层沉积非晶硅、氧化铝或者氧化硅薄膜，上层沉积氮化硅薄膜；e、在背表面印刷铝浆，前表面印刷银浆；f、烧结形成局部背场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
