[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，所述可变电阻存储器件包括有源区，所述有源区在半导体衬底中由隔离层限定；半导体衬底中的沟槽，所述沟槽沿与有源区相交叉的方向延伸；结区，所述结区形成在位于沟槽两侧的有源区中；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案插入在字线与结区之间。

主权项

一种可变电阻存储器件，包括：有源区，所述有源区在半导体衬底中由隔离层限定；所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽沿与所述有源区相交叉的方向延伸；电介质层和字线，所述电介质层和所述字线层叠在所述沟槽中；结区，所述结区形成在位于所述沟槽两侧的有源区中；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案插入在所述字线与所述结区之间，其中，字线沿垂直于半导体衬底的上表面的方向层叠为多个层，其中，电介质层插入在字线之间。