[发明专利]一种N型背接触太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201210530692.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102983224A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;杨智;王登志 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗N型硅片表面，去除损伤层，制绒；(2)在硅片正面制备磷掺杂层；(3)在硅片的正面设置钝化减反射膜；(4)在硅片上开孔；(5)在硅片背面印刷正面电极焊接位、孔金属电极和背面电极焊接位，烘干；(6)在硅片背面印刷铝浆并烘干；(7)在硅片正面印刷正面电极；(8)烧结，即可得到N型背接触太阳能电池。本发明采用在硅片背面印刷铝浆的方法，烧结后形成铝掺杂层，与N型硅片基体构成PN结，同时形成背电极，通过控制铝浆的印刷图形，避免了正负极的短路；该方法工艺路线简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 清洗N型硅片表面，去除损伤层，制绒；(2) 在硅片正面制备磷掺杂层；(3) 在硅片的正面设置钝化减反射膜；(4) 在硅片上开孔；(5) 在硅片背面印刷正面电极焊接位、孔金属电极和背面电极焊接位，烘干；(6) 在硅片背面印刷铝浆并烘干；(7) 在硅片正面印刷正面电极；(8) 烧结，即可得到N型背接触太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
