[发明专利]窄间距线路的形成方法有效
| 申请号： | 201210528531.9 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103050379A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 许汉东 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种窄间距线路的形成方法，其包括下列步骤：于一基板上依序形成一第一金属层及一保护层；使用一第一光罩图案化该第一金属层及该保护层，以形成一第一金属线与位于其上的一图案化保护层；形成一第二金属层于该基板及该图案化保护层上；使用一第二光罩图案化该第二金属层，以形成一第二金属线，其中该第二金属线邻近该第一金属线；以及去除该第一金属在线的图案化保护层。根据本发明的方法可将走线以窄间距形成于同一层，并避免走线容易断线的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 线路 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种窄间距线路的形成方法，其特征在于，其包括下列步骤：于一基板上依序形成一第一金属层及一保护层；使用一第一光罩图案化该第一金属层及该保护层，以形成一第一金属线与位于其上的一图案化保护层；形成一第二金属层于该基板及该图案化保护层上；使用一第二光罩图案化该第二金属层，以形成一第二金属线，其中该第二金属线邻近该第一金属线；以及去除该第一金属在线的图案化保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
