[发明专利]一种背钝化电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种背钝化电池的制备方法，属于太阳能电池生产方法技术领域。其工艺步骤为：先将P型单晶硅片清洗制绒；再进行P扩散；然后用腐蚀溶液将硅片背面腐蚀抛光；再分别用HF溶液清洗硅片正面，按RCA方法清洗硅片背面；接着在电池背面按顺序沉积非晶硅，氧化铝以及氮化硅，在硅片正面沉积氮化硅；利用激光或者腐蚀浆料在硅片背面将沉积的薄膜层局部去除；最后印刷电极并烧结。本发明的有益效果是:电池片采用背面叠层钝化，尤其是采用非晶硅,氧化铝和氮化硅叠层钝化，使电池背面不仅具有良好的电学钝化效果,而且对长波段具有良好的内反射效果,电池的长波段具有良好的光谱响应,太阳光的利用率和电池光电转换效率得到了提升。

主权项

一种背钝化电池的制备方法，其具体步骤为：1）将电阻掺杂浓度为0.2Ω•cm至10Ω•cm的P型单晶硅片，经过常规清洗后进行酸制绒或者碱制绒；2）将制绒后的硅片进行P扩散，扩散温度为800℃至900℃，方阻为40Ω/cm至120Ω/cm；3）利用酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光；4）用1%至15%的HF溶液清洗硅片1至8分钟，去除正面的磷硅玻璃，用主要成分为H2O2和NH3.H2O的混合溶液清洗硅片背面，温度为50℃至90℃；5）硅片背面沉积非晶硅、氧化铝和氮化硅叠层薄膜，薄膜厚度为10nm至150nm；在硅片正面沉积氮化硅薄膜，厚度为50nm至100nm；6）利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层，形成若干薄膜开孔；7）用1%至15%的HF溶液清洗硅片背面1至8分钟，去除背面的激光损伤层；8）在电池背面和正面印刷电极，烧结，烧结温度为400℃至800℃。