[发明专利]用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法在审
| 申请号： | 201210518165.9 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103855302A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 顾怡峰;宋志棠;宋三年;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本发明的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 al sb se 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Al‑Sb‑Se材料，其特征在于：所述Al‑Sb‑Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，其中，Sb与Se的原子比为a：1， 0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10。
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