[发明专利]一种横向高压功率半导体器件

摘要

一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。

主权项

一种横向高压功率半导体器件，包括至少一个或一个以上的纵向超结元胞结构（61）和终端结构（62）；多个纵向超结元胞结构（61）沿器件横向或宽度方向紧密堆积在一起，形成整体纵向超结元胞结构；所述终端结构（62）位于整体元胞结构的外侧或外围；所述纵向超结元胞结构（61）包括位于P型衬底（1）表面的N型漂移区（31），位于N型漂移区（31）顶部一侧的P型体区（41），P型体区（41）中具有分别与位于器件表面源极金属（52）相连的P+源极接触区（42）和N+源极接触区（32）；P型体区（41）下方的N型漂移区（31）中具有P型掺杂条（43），P型掺杂条（43）与旁边的N型漂移区（31）形成超结结构，超结结构与超结结构下方的N型漂移区（31）构成具有部分超结结构的漂移区；栅极结构由栅氧化层（23）和多晶硅栅电极（51）构成，其中栅氧化层（23）与N型漂移区（31）和P型体区（41）相接触，多晶硅栅电极（51）与源极金属（52）之间通过介质层（22）相互隔离；所述终端结构（62），包括N型漂移区（31）、N型掺杂条（34）、N型重掺杂漏极接触区（33）和介质槽（2）；终端结构（62）中N型漂移区（31）的顶部一侧是与漏极金属（53）相连的N型重掺杂漏极接触区（33），N型掺杂条（34）位于N型重掺杂漏极接触区（33）下方的N型漂移区（31）中，且与N型重掺杂漏极接触区（33）相接触；介质槽（2）位于N型掺杂条（34）和所述纵向超结元胞结构（61）的P型掺杂条（43）之间，介质槽（2）和N型掺杂条（34）下方保留部分N型漂移区（31）作为电流通道，漏极金属（53）和源极金属（52）之间通过介质层（22）相互隔离。