[发明专利]一种β-SiC纳米线的合成方法无效
| 申请号： | 201210516420.6 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102976324A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王志江;矫金福;徐用军;姜兆华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种β-SiC纳米线的合成方法，它涉及一种SiC纳米材料的合成方法。它要解决现有合成SiC纳米线方法需要高温、产物纯度低以及对设备要求高的问题。合成方法：一、按质量百分数比将硅粉、SiO2粉体和碳纳米管粉体均匀混合，放入管式炉里置于氩气中1200～1500℃的温度进行烧结，得到初级产物；二、将初级产物放入加热设备中,在300~700℃下保温去碳，放入氢氟酸中处理，经减压过滤后用水和乙醇洗涤，干燥后得到β-SiC纳米线。采用本发明合成方法得到的产品纯度高，可控性好，烧结温度较低，无需经过减压处理，对设备要求低。本发明主要应用于SiC纳米材料的合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种β‑SiC纳米线的合成方法，其特征在于β‑SiC纳米线的合成方法按下列步骤实现：一、按质量百分数比将15%~40%的硅粉、25%~65%的SiO2粉体和15%~55%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体，然后将混合粉体放入管式炉中置于氩气氛以1200～1500℃的温度烧结，保温1～8h，得到初级产物；二、将步骤一得到的初级产物放入加热设备中,在300~700℃的烧结温度下保温2～10h去碳，然后放入质量浓度为30%～50%的氢氟酸中处理1～12h，经减压过滤后分别用水和乙醇洗涤2～4次，再在70～90℃下干燥2～3h，得到β‑SiC纳米线；其中步骤一所述的硅粉细度为100～300目，SiO2粉体的粒径小于80nm，碳纳米管的直径为20~40nm，长度为5~15um；步骤一中所述的氩气氛中氩气纯度大于99.99%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210516420.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可移动式ABS齿轮检测装置
- 下一篇：扫风设备及其控制方法和装置、空调器
