[发明专利]一种β-SiC纳米线的合成方法

权利要求书

1.一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于β-SiC纳米线的合成方法按下列步骤实现：

一、按质量百分数比将15%~40%的硅粉、25%~65%的SiO₂粉体和15%~55%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体，然后将混合粉体放入管式炉中置于氩气氛以1200～1500℃的温度烧结，保温1～8h，得到初级产物；

二、将步骤一得到的初级产物放入加热设备中,在300~700℃的烧结温度下保温2～10h去碳，然后放入质量浓度为30%～50%的氢氟酸中处理1～12h，经减压过滤后分别用水和乙醇洗涤2～4次，再在70～90℃下干燥2～3h，得到β-SiC纳米线；

其中步骤一所述的硅粉细度为100～300目，SiO₂粉体的粒径小于80nm，碳纳米管的直径为20~40nm，长度为5~15um；

步骤一中所述的氩气氛中氩气纯度大于99.99%。

2.根据权利要求1所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一按质量百分数比将18%~23%的硅粉、35%~48%的SiO₂粉体和34%~42%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体。

3.根据权利要求1所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一按质量百分数比将22%的硅粉、43%的SiO₂粉体和35%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体。

4.根据权利要求1或2所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一所述的以1200～1500℃的温度烧结，烧结升温方式按如下方式控制：20~500℃升温时间为20～100min，500~800℃升温时间为10～30min,800~1000℃升温时间为20～90min，1000~1500℃升温时间为30～300min。

5.根据权利要求4所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一所述的以1200～1500℃的温度烧结，烧结升温方式按如下方式控制：20~500℃升温时间为50min，500~800℃升温时间为30min,800~1000℃升温时间为40min，1000~1500℃升温时间为80min。

6.根据权利要求5所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一将混合粉体放入管式炉中置于氩气氛以1400℃的温度烧结，保温3h。

7.根据权利要求6所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤二中的加热设备为马弗炉。