[发明专利]新型OTP器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种新型的OTP器件的结构，其在多晶硅浮栅上方依次还有介质层和多晶硅电阻层两层结构，多晶硅电阻层、介质层和多晶硅浮栅一起构成该一次可编程器件的耦合电容。本发明还公开上述结构的OTP器件的制造方法，该方法在用常规工艺淀积多晶硅后，刻蚀多晶硅栅极前，进行以下工艺步骤：1）在多晶硅上方淀积介质层；2）在介质层上方淀积一层多晶硅电阻；3）刻蚀形成多晶硅电阻-介质层-多晶硅的电容区域。本发明通过改变原有OTP器件耦合电容的结构，用PIP电容取代原有的MOS电容，直接垂直叠加在作为OTP浮栅的多晶硅上方，不仅大大减小了OTP存储单元的面积，而且优化了OTP器件的性能。

主权项

一次可编程器件的结构，其特征在于，在多晶硅浮栅上方依次有介质层和多晶硅电阻层，多晶硅电阻层、介质层和多晶硅浮栅一起构成该一次可编程器件的耦合电容。