[发明专利]一种高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片的加工方法

摘要

本发明涉及一种高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片的加工方法。其方法是：1）将单晶硅片双面去除量控制在30-34μm；2）将9.07~12.45%氢氟酸、40.2~42.3%硝酸及15.54~19.43%醋酸加去离子水混合成酸腐蚀液；3）每腐蚀50片单晶硅片之后，将排出一部分酸腐蚀液，排出量和补充量为所用酸腐蚀液总量的2%~3%；4）将腐蚀后的单晶硅片用10~20%盐酸、10~20%双氧水及60~80%去离子水配成的清洗药液进行清洗。采用本方法可有效地抑制单晶硅腐蚀片表面晶格内少数载流子与多数载流子的复合，从而提高了单晶硅腐蚀片的少数载流子寿命。采用本方法制备的单晶硅腐蚀片，其少数载流子寿命可实现＞1000μs。本方法可以实现批量生产，而且质量稳定，是一种适宜大批量生产的高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片加工方法。

主权项

一种高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片的加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括：（1）.将硅片双面去除量控制在30‑34μm；（2）.酸腐蚀液的配制：各化学成分所占浓度百分比为：氢氟酸：9.07~12.45%、硝酸：40.2~42.3%、醋酸：15.54~19.43%，加去离子水混合而成；（3）.每腐蚀50片硅片之后，将排出一部分酸腐蚀液，排出量为所用酸腐蚀液总量的2%~3%，然后补充与排出量相等数量的酸腐蚀液来维持酸腐蚀液的浓度动态平衡；（4）.将腐蚀后的硅片用以下按重量百分比配制的清洗药液进行清洗：盐酸：10~20%，双氧水：10~20%，去离子水：60~80%。