[发明专利]制备GaN厚膜垂直结构LED的方法无效
| 申请号： | 201210505214.5 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969410A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 羊建坤;魏同波;胡强;霍自强;段瑞飞;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的厚度；以及在GaN厚膜上外延生长多周期量子阱LED。本发明通过GaN厚膜分块生长，释放了由晶格失配和热失配引起的应力，解决了二次外延中衬底开裂问题，降低了衬底的翘曲度，有利于后续的激光剥离衬底和芯片制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 gan 垂直 结构 led 方法 | ||
【主权项】：
一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法，其特征在于，包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，得到图形化的衬底，所述掩模图形将所述衬底的抛光面分割为若干个分离的区域；在所述图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的厚度；以及在所述GaN厚膜上外延生长多周期量子阱LED。
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