[发明专利]一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法有效
| 申请号： | 201210501839.4 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103011056A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 何军;张大成;黄贤;赵丹淇;林琛;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件；本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 sog 工艺 微结构 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种减小热失配应力从而增强SOG工艺微结构键合强度的方法，其特征在于，采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。
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