[发明专利]一种发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210499489.2 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855254B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;齐胜利;潘尧波;张楠;陈诚;陈耀;杨杰;袁根如;李士涛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制造方法，先于半导体衬底表面依次制作N型层、量子阱层、P型层；然后刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；接着于所述P型层表面形成透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述透明导电层、P型层及量子阱层，以形成多个贯穿至所述N型层的呈周期排列且具有预设孔径的开孔；最后于所述透明导电层表面制作P电极，于所述N电极制备区域制备N电极。本发明具有以下有益效果本发明在发光二极管中刻蚀出多个周期排列的纳米级开孔，可以有效地提高光的萃取，从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次沉积至少包括N型层、量子阱层、P型层的发光外延结构；2)刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；3)于所述P型层表面形成透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述透明导电层、P型层及量子阱层，以形成多个贯穿至所述N型层的呈周期排列且具有预设孔径的开孔；所述开孔的孔径为nλ/4，其中，n取值为1、2、3或4，λ为发光二极管发出光线的主波长；相邻两开孔的中心距离为所述开孔孔径的2～10倍；4)于所述透明导电层表面制作P电极，于所述N电极制备区域制备N电极。
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